SSDI最新的密封GaN FET器件SGR15E90M在輸入端使用GaN FET代替硅MOSFET，以增強抗輻照性能。SGR15E90M的共源共柵器件結構包括輸出端的高壓耗盡型GaN FET和輸入級的低壓增強型GaN FET。輸入端的GaN FET提供+6至-4 V的柵源電壓，并且由于氮化鎵本身具有比SI MOSFET更高的抗輻照性能。SSDI為高可靠性航空航天和國防應用提供最高電壓的密封GaN FETs for產品最高可達1000 V)。憑借其增強的輻射耐受性，SGR15E90M是空間應用(近地和深空)的理想選擇，如DC-DC / PoL轉換器、電機控制器和開關模式電源。SGR15E90M目前采用TO-254封裝。同樣，SSDI可以滿足客戶的設計規格完成產品的具體封裝。

特性
? 第三代氮化鎵技術
? 結合 HV 耗盡模式 GaN 和 LV 增強模式 GaN 驅動器（共源共柵）以獲得卓越的性能
? 固有的輻射耐受性
? 低 RDS(on)
? 低 Qg 簡化了柵極驅動電路
? 用于高頻應用的非常快速的開關
? 低熱阻
? 密封封裝
? TX、TXV 和 S 級篩選可用

SGR15E90M有著15A和900V。它柵極電荷典型值為10 nC，RDS(on)典型值為160mω。與傳統硅MOSFETs相比，這些器件具有低品質因數、低傳導損耗和低交越損耗，可以實現更快的開關速度和更高的效率。