• <wbr id="eglgg"></wbr>

    <sub id="eglgg"></sub>

  • <sub id="eglgg"></sub>
  • <sub id="eglgg"></sub>
    <form id="eglgg"><th id="eglgg"><big id="eglgg"></big></th></form>
    <form id="eglgg"><th id="eglgg"><big id="eglgg"></big></th></form>
      steven_zhang@rironic.com     029-88377000 029-88377085  中文     English

    陜西睿創電子科技有限公司

    電 話:(86)029-88377000

    地 址:西安市雁塔區唐延路11號禾盛京廣中心D座9層

    網 址:www.splashbb.com

    您所在的位置:首頁 > 新聞資訊 > 行業新聞
    SSDI最新全GaN Power FETS SGR15E90M

        SSDI最新的密封GaN FET器件SGR15E90M在輸入端使用GaN FET代替硅MOSFET,以增強抗輻照性能。SGR15E90M的共源共柵器件結構包括輸出端的高壓耗盡型GaN FET和輸入級的低壓增強型GaN FET。輸入端的GaN FET提供+6至-4 V的柵源電壓,并且由于氮化鎵本身具有比SI MOSFET更高的抗輻照性能。SSDI為高可靠性航空航天和國防應用提供最高電壓的密封GaN FETs for產品最高可達1000 V)。憑借其增強的輻射耐受性,SGR15E90M是空間應用(近地和深空)的理想選擇,如DC-DC / PoL轉換器、電機控制器和開關模式電源。SGR15E90M目前采用TO-254封裝。同樣,SSDI可以滿足客戶的設計規格完成產品的具體封裝。

    特性
    ? 第三代氮化鎵技術
    ? 結合 HV 耗盡模式 GaN 和 LV 增強模式 GaN 驅動器(共源共柵)以獲得卓越的性能
    ? 固有的輻射耐受性
    ? 低 RDS(on)
    ? 低 Qg 簡化了柵極驅動電路
    ? 用于高頻應用的非常快速的開關
    ? 低熱阻
    ? 密封封裝
    ? TX、TXV 和 S 級篩選可用

    SGR15E90M有著15A和900V。它柵極電荷典型值為10 nC,RDS(on)典型值為160mω。與傳統硅MOSFETs相比,這些器件具有低品質因數、低傳導損耗和低交越損耗,可以實現更快的開關速度和更高的效率。