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    新型 30V N溝道 MOSFET 提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效

    Vishay Siliconix SiSS52DN

      Vishay 推出多功能新型 30 V n 溝道 TrenchFET? 第五代功率 MOSFET,提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。

    - 器件采用 PowerPAK?1212?8S 封裝

    - 導通電阻低至 0.95 mΩ

    - 優異的 FOM 僅為 29.8 mΩ*nC

      Vishay Siliconix SiSS52DN 采用熱增強型 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S 封裝,10 V 條件下導通電阻僅為 0.95 mΩ,比上一代產品低 5 %。此外, 4.5 V 條件下器件導通電阻為 1.5 mΩ,而 4.5 V 條件下導通電阻與柵極電荷乘積,即 MOSFET 開關應用重要優值系數(FOM)為 29.8 mΩ*nC,是市場上優值系數最低的產品之一。SiSS52DN 的 FOM 比上一代器件低 29%,從而降低導通和開關損耗,節省功率轉換應用的能源。

      SiSS52DN 適用于同步整流、同步降壓轉換器、DC/DC 轉換器、開關柜拓撲結構、OR-ring FET 低邊開關,以及服務器、通信和 RF 設備電源的負載切換。MOSFET 可提高隔離和非隔離拓撲結構的性能,簡化設計人員兩種電路的器件選擇。器件經過 100 % RG 和 UIS 測試,符合 RoHS 標準,無鹵素。


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